キヤノン（株）は、FOWLP※1向け機能の強化と生産性のさらなる向上を実現した後工程向けi線ステッパー※2「FPA-5520iV」の高解像度オプション「FPA-5520iV HRオプション」を2018年12月下旬より発売する。
※1 Fan Out Wafer Level Packageの略。パッケージ技術の一種。基板レスやパッケージ面積がチップより大きく多ピンのパッケージへの対応が可能などのメリットがある。
※2 水銀ランプ波長365nmの光源を利用した半導体露光装置。1nm（ナノメートル）は10億分の1メートル。
モバイル製品の小型化・省電力化の流れに伴い、半導体チップの高集積化・薄型化に対応できるFOWLP向け機能を強化した半導体露光装置の市場が拡大している。また、FOWLPの市場では、配線高密度化のニーズが高く、さらなる解像力の向上を求められている。
新製品はFOWLP向け機能の強化と生産性の向上を実現した「FPA-5520iV」（2016年7月発売）の基本性能を継承しつつ、さらに解像力0.8マイクロメートル※3を実現する。
※3 1マイクロメートルは、100万分の1メートル。（＝1000分の1mm）
解像力0.8マイクロメートルを実現
「FPA-5520iV」では1.0マイクロメートルだった解像力を、「FPA-5520iV HRオプション」では新たな投影光学系を採用することで、パッケージング向け露光装置で業界最高水準※4となる解像力0.8マイクロメートルの微細なパターニングができる。これにより、半導体チップのさらなる小型化が可能となり、処理する情報が増え、処理速度を高めることができる。
※4 同等クラスのi線ステッパーにおいて。シリコンウエハーと同等の平坦度の場合。2018年12月10日現在。（キヤノン調べ）
「FPA-5520iV」の基本性能を継承
FOWLP技術での量産課題である再構成基板※5の反った形状に対する柔軟な対応力や、チップ配列のばらつきが大きい再構成基板でもアライメントマーク※6を検出し稼働率を向上させる高い生産性など「FPA-5520iV」で実現した基本性能を継承。
※5 半導体露光装置の前工程で製造されたウエハーから個片化された複数の半導体チップを、配列し、樹脂でウエハー形状に固めた基板。
※6 基板上に配置されている位置合わせをするための基準のこと。複数マークを観察、測定することで、縦横の位置を精密に把握できる。
キヤノンは、今後も半導体露光装置に対する多様なソリューションやアップグレードオプションなどを継続的に提供し、市場ニーズに対応していく。
＜半導体露光装置の市場動向＞
微細化による高集積化の進展が停滞しつつある半導体デバイス製造においては、微細化以外の高集積化のアプローチの1つとして、パッケージの高密度配線化が提案されている。なかでも、FOWLPは最有力技術として注目を集めており、後工程メーカーでの量産化の動きが活発化しているとともに、FOWLPのRDL※7における微細化が進んでいる。
※7 Redistribution Layerの略。チップの高密度の端子からパッケージまで配線する層。