【電子線レジスト】日本ゼオン、次世代電子部品向け「ZEP530A」シリーズ上市

　日本ゼオン（株）は、半導体デバイスの回路パターンをウェハー上に転写する際に使用される保護膜として、かねてより主鎖切断型のポジ型電子線レジスト*1 ZEPシリーズを展開し、国内外の顧客に広く供給している。
　このたび、その既存グレード「ZEP520A」で培ってきた技術をベースに、更なる高解像度を実現した「ZEP530A」シリーズを開発、上市した。
　「ZEP530A」シリーズは優れたドライエッチング耐性*2 を保持しつつ、解像度とプロセスウィンドウ*3 を向上させた次世代電子部品向けポジ型電子線レジスト。レジストの薄膜化により、ハーフピッチ（hp)*4 17nmのライン&スペース*5 （L/S）パターンの解像も確認している。
　また、「ZEP530A」の高解像度を引き出すため、新規現像液「ZED-N60」も併せて開発・上市した。
　主な使用用途としては次世代電子部品の製造を想定しており、商用化が見込まれる第5世代移動通信システムへも活用の場が広がることが期待される。
*1　主鎖切断型のポジ型電子線レジスト
　電子線照射によりポリマーの主鎖がモノマー単位にまで分解するようにポリマー設計したポジ型電子線レジスト。
*2　ドライエッチング耐性
　ドライエッチング加工装置の真空容器内のプラズマ化したガスで、レジストで基板を保護していない部分を削り取る加工方法において、このレジストが耐える性質。
*3　プロセスウィンドウ
　この場合、露光工程における露光条件の許容量の範囲。これが広いほど製造しやすく歩留まりも向上する。
*4　ハーフピッチ（hp）
　1つの配線幅と1つの配線間隔の合計であるピッチの半分の値で、微細化の度合いを示す指標。
*5　ライン&スペース（L/S）
　基板に連続的に等間隔で形成される線（ライン）とその間隔（スペース）。