【第78回応用物理学会秋季学術講演会】東北大工の城戸光一氏、9月6日に「LSI配線におけるZn添加によるCu/SiO2間の相互拡散バリア性の評価」発表

　（公社）応用物理学会では、来る9月5日～8日まで、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレスホテル（福岡県福岡市）で「第78回応用物理学会秋季学術講演会」を開催する。6日、11:15～11:30には、「13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術」で東北大工の城戸光一氏が「LSI配線におけるZn添加によるCu/SiO2間の相互拡散バリア性の評価」について発表する。会場はC21。
　亜鉛（Zn）がCu/SiO2界面に拡散して薄いバリア膜を形成する技術で、従来Mnで同様のプロセスが実用化されているが、研究例が少なく新しい。400℃までの拡散バリア性を報告。